Resistive random-access memory
Commune
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Ce qu’il faut savoir
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Ce qu’en dit Wikipédia
Resistive random-access memory (RRAM ou ReRAM) est un type de mémoire non volatile en cours de développement par différentes entreprises, dont certaines en ont breveté des versions (par exemple Sharp Laboratories of America pour le brevet US 6531371 en juin 2001, Samsung Electronics pour le brevet US 7292469 en novembre 2004, et Micron Technology, Spansion, Macronix International, Winbond Electronics, Unity Semiconductor entre ces deux dates).
Extrait de l’article « Resistive random-access memory » de Wikipédia, sous licence CC BY-SA 4.0. Lire l’article sur Wikipédia
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